Der japanische Hersteller Toshiba und sein NAND-Flash-Partner SanDisk sollen in der zweiten Jahreshälfte 2010 mit der Massenproduktion von NAND-Flash-Chips der 20-Nanometer-Klasse starten. Der Technologiewechsel wird besonders im Hinblick auf Solid-State-Discs (SSDs) als wichtiger Schritt gewertet, da diese somit günstiger produziert werden können.

Außerdem plane das Gemeinschaftsunternehmen die Produktionskapazitäten in Yokkaichi, Provinz Mie, auf 200.000 Wafer im Monat anzuheben, heißt es aus Industriekreisen.

Toshiba hat dort gerade erst, später als geplant, mit der Massenproduktion von 32-nm-Chips auf 3bpc- oder 3-bit-per-cell-Basis begonnen. Ursprünglich war das Unternehmen davon ausgegangen, dass diese Ende 2009 schon über 50 Prozent der Produktion in Yoikkaichi ausmachen werden.

Wie von ChannelPartner berichtet, will das Konkurrenzgespann Intel und Micron schon Ende 2009 NAND-Flash-Chips der 20-nm-Klasse (2x-nm) vorstellen. Die Massenproduktion von 32-Gigabit-NAND-Flash-Memory auf Basis der 3bpc-34nm-Verarbeitungstechnologie soll bei dem Intel-Micron-Joint-Venture IM Flash Technologies plangemäß erfolgen.