Das Samsung Galaxy S8 ist voraussichtlich das erste Smartphone, das vom Snapdragon 835 befeuert wird. In den Benchmark-Tests der Kollegen von Golem in der Qualcomm-Zentrale in San Diego lässt der Chipsatz die in anderen Android-Topsmartphones verbauten SoCs wie erwartet hinter sich lässt. Teilweise muss sich der Qualcomm-Chip dem Apple A10 geschlagen geben.
Foto: Qualcomm
Einen deutlichen Leistungszuwachs gibt es im Vergleich des Snapdragon 835 mit dem Snapdragon 821, der derzeit unter anderem Google Pixel oder OnePlus 3T zu finden ist. So legt der neue Prozessor mit 3.701 Punkten im CPU- und GPU-Benchmark von 3DMark (Slingshot Extreme Unlimited) ein um fast 1.000 Punkte besseres Ergebnis als der Vorgängerchip (2.875 Punkte) hin. Auch im Multithread-Test von Geekbench 4 mit Belastung aller Kerne geht der neue Qualcomm-Chip mit 6.473 Punkten und somit deutlichen Vorsprung vor dem Snapdragon 821 (4.164 Punkte) ins Ziel.
Benchmark | Snapdragon 835 | Snapdragon 821 | Apple A10 |
3DMark Slingshot Extreme Unlimited (Overall) | 3.701 Punkte | 2.875 Punkte | 2.693 Punkte |
Geekbench 4 (Singlethread) | 2.049 Punkte | 1.499 Punkte | 3.404 Punkte |
Geekbench 4 (Multithread) | 6.473 Punkte | 4.164 Punkte | 5.552 Punkte |
GFXBench (T-Rex 2.0 Offscreen 1080p) | 119 FPS | 91 FPS | 111 FPS |
Weitere Benchmark-Ergebnisse vom Snapdragon 835 findet ihr bei den Kollegen auf Golem.de.
iPhone 7 schlägt auch den neuen Prozessor im Single-Core-Test
Geschlagen geben muss sich der Snapdragon 835 allerdings dem Apple A10 Fusion in Sachen Single-Core-Leistung. Obwohl der 835er-Chipsatz mit 2.049 Punkten im Vergleich zu den erreichten 1.499 Punkten des Snapdragon 821 zugelegt hat, kommt er nicht an die Leistung des Apple-Chipsatzes ran. Mit 3.404 Punkten hat der Apple-SoC hier weiterhin die Nase vorn. Allerdings sollte hier auch bedacht werden, dass die Tests auf verschiedenen Betriebssystemen liefen, was Einfluss auf das Ergebnis hat.
Als bisheriger Spitzenreiter verliert das iPhone 7 Plus dagegen im Antutu-Benchmark gegen das Samsung Galaxy S8 mit Snapdragon 835, wie ein kürzlich durchgesickertes Video zeigen soll. Dort erreicht das kommende Flaggschiff-Smartphone der Koreaner ein Ergebnis 205.284 Punkten, das große Apple-Smartphone kommt auf 180.332 Punkte.
Kein Leistungsabfall wegen Hitzeentwicklung
Eine frühzeitige Leistungsdrosselung wegen starker Hitzeentwicklung scheint es beim Snapdragon 835 nicht zu geben. Allerdings lässt sich das an einem Testsmartphone (MDP bzw. Mobile Development Plattform ohne besonderen Kühlmechanismus und ein vergleichsweise großes Gehäuse auch nur schwer einschätzen. Es bleibt abzuwarten, wie die unterschiedlichen Hersteller, allen voran Samsung mit dem Galaxy S8, den Chip in ihre Smartphones integrieren. Offen ist auch, wie es um den Energieverbrauch des Snapdragon 835 steht. Ein Thema, das gerade bei der alltäglichen Nutzung von größerer Bedeutung ist als Benchmark-Ergebnisse.
Was Qualcomm zusammen mit Samsung allerdings noch bis zum Release des Galaxy S8 in den Griff bekommen müssen, sind laut Golem die Scheduling-Probleme mit spürbaren Leistungseinbrüchen, die bei einigen Tests des Snapdragon 835 auftraten.