Flächenoptimierung
Am Fraunhofer-Institut (www. iws.fraunhofer.de) für Werkstoff- und Strahltechnik (IWS) in Dresden wurde für IBM eine neue Methode für die Beschichtung von Festplattenoberflächen entwickelt. Nach dem Verkauf der Festplattensparte von IBM an Hitachi Data Systems ruht dieses Vorhaben derzeit aus Geldmangel. Wesentlich an der neuen ultradünnen Beschichtung ist der damit geringere Abstand zwischen Kopf und Plattenoberfläche. Die bis-herige Grenze liegt bei 10 Nanometer Abstand. Für höhere Speicherdichten wird aber eine Verringerung des Abstands auf 3 Nanometer benötigt.
Für die extrem dünne Oberflächen-Schutzschicht wird im Lichtbogen ein diamant-ähnliches Graphitplasma erzeugt. Magnetfelder sorgen dafür, dass dieses so dünn (bis 1,2 Nanometer) und glatt aufgetragen wird, damit noch Platz für ein Luftpolster bleibt, auf dem der Kopf gleitet. Bei der Bogenentladung entstehen kleinste Partikel, die per Magnetfeld ausgesondert werden, da sie ansonsten die Glattheit der Schicht beeinträchtigen würden. Von Vorteil ist auch die ungewöhnliche Härte dieser Oberflächenbeschichtung als Schutz gegen Oxidation und mechanische Beschädigungen.
Ausblick
Zwischen Wunsch und Wirklichkeit klafft bei einigen der vorgestellten Projekte eine deutliche Kluft. Insbesondere wenn es um den Zeitraum zwischen der Präsentation von Prototypen und Visionen bis hin zur Einführung von marktreifen Produkten geht. Darüber hinaus stammen einige Entwicklungen aus der gegenüber Start-up-Firmen freundlicheren Zeit Ende der 90er Jahre. Solange es wirtschaftlich noch vertretbar ist, wird häufig bestehende Technologie ausgereizt.
Ob und wann es von welcher Technologie wirkliche Endprodukte geben wird, lässt sich daher oft nur schwer sagen. Von den beschriebenen Technologien werden insbesondere in MRAM große Hoffnungen gesetzt. Das verdeutlichen nicht nur die oben genannten Investitionen von IBM und Infineon. Im Juni 2003 haben beide Unternehmen einen 128-Kbit-MRAM-Core präsentiert. Der Chip wurde laut Infineon in einem 0,18-*m-Logikprozess gefertigt. Dank diesem konnten die Hersteller eine MRAM-Zelle von nur 1,4 Quadrat-Mikrometer erzeugen.
Nach Einschätzung von IBM und Infineon könnten die nicht flüchtigen MRAMs demnächts einige bekannte Speichertechnologien ersetzen. Vorstellbar sind dann auch PCs und mobile Rechner, die dank MRAM auf Knopfdruck betriebsbereit sind.
Dieser Artikel stammt von tec-Channel.de, dem Webzine für tech- nik-orientierte Computer- und Kommunikationsprofis. Unter www.tecChannel.de finden Sie weitere Beiträge zu diesem Thema.