NAND-Flash

Intel und Micron arbeiten schon an 2x-nm-Technologie

Datum:12.08.2009

Intel und Micron haben gemeinsam neue MLC-NAND-Flash-Speicher mit 3 Bit pro Zelle auf Basis der 34-nm-Technologie entwickelt und wollen Ende 2009 den Startschuss für die 2x-nm-Fertigungstechnologie geben.

Intel und Micron haben gemeinsam neue MLC-NAND-Flash-Speicher mit 3 Bit pro Zelle (3bpc) auf Basis der 34-nm-Technologie entwickelt und wollen Ende 2009 den Startschuss für die 2x-nm-Fertigungstechnologie geben.

Die neue Multi-Level-Cell-Technologie soll vor allem in Consumer-Produkten wie Flash-Cards und USB-Drives einfließen. Geplanter Start für die Massenproduktion ist Q4/09.

Das Gemeinschaftsunternehmen IM Flash Technologies produziert bereits 32-Gbit-Chips auf Basis der 34-Nanometer-Technologie. Micron soll schon Testmuster dieser nur 126 mm² kleinen Chips herausgeben.

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"Wir sehen die 3bpc-NAND-Technologie als wichtigen Meilenstein auf unserer Roadmap", erklärte Brian Shirley, Vice President von Microns Memory Group. Weiter sagte er: "Die heutige Ankündigung unterstreich wieder einmal, welche großen Schritte Micron und Intel bezüglich 34-Nanometer-NAND unternommen haben. Wir rechnen damit, Ende des Jahres unsere 2x-nm-Technologie vorstellen zu können." (kh)

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