Die Preise für DRAM- und NAND-Flash-Speicher sind Ende Juli 2009 um 6 bis 8 Prozent gestiegen. Als Gründe dafür nennt inSpectrum in den News genannte DDR2-Preisanhebungen durch Samsung und den angeblichen Stromausfall in einer NAND-Flash-Fabrik von Toshiba.

Die Spotmarktpreise für 1Gb DDR (Gigabit) sind in der letzten Juliwoche um 6 bis 7 Prozent gestiegen und lagen für Markenchips zuletzt bei 1,26 US-Dollar. Auch die DDR3-Preise sind in der Woche weiter angezogen, die meisten 1Gb-DDR3-Chips kosteten Ende des Monats 1,90 Dollar.

Auch wenn Samsung einen starken Einfluss auf die DDR2-Preise haben sollte, sieht inSpectrum einen große Verfügbarkeit der Chips und denkt daher, dass die Preissteigerung nicht von langer Dauer sein wird.

Die hohen Preise für DDR3-Speicher sind den Analysten zufolge mehr einer Verknappung zuzuschreiben als einer echten Nachfrage durch die Verbraucher. Sobald die Preise für 1Gb-DDR3-Speicherchips auf über 2,00 Dollar steigen, dürften viele Händler oder Broker zögern zuzuschlagen, weil die Durchschnittspreise für entsprechende DDR3-Module mit 2 GB (Gigabyte) Speicherkapazität dann auf über 30 Dollar das Stück steigen würden, so inSpectrum.

Nach Spekulationen über den Stromausfall in einem NAND-Flash-Werk von Toshiba sind in Erwartung steigender Preise für Speicherkarten mit niedriger Dichte (low-density memory cards) die Spotmarktpreise für entsprechende 16Gb-Chips bis Ende Juli 2009 um über 8 Prozent auf 4,40 Dollar das Stück gestiegen.

Die Analysten von inSpectrum rechnen den soliden Preisanstieg für Low-Density-NAND-Flash auch der Tatsache zu, dass die Nachfrage nach 1GB- und 2GB-micro-SD-Karten für Handys und Kameras wieder anzieht. Im dritten Quartal 2009 sollen die beiden Anwendungen 60 Prozent der weltweiten Nachfrage nach NAND-Flash-Speichermodulen ausmachen.

Die 1GB-Variante ist in der letzten Juliwoche um 9 Prozent teurer geworden, die 2GB-Variante um 10 Prozent. (kh)