Memory-Driven Flash

HPE will den Speicher schneller und intelligenter machen

28.11.2018 von Andreas Th. Fischer
Memory-Driven Flash und der Einsatz von Künstlichen Intelligenzen sind nach Ansicht von HPE die Zukunft des Speichers, weil er sich damit selbst optimieren kann.

Künstliche Intelligenzen (KI) beeinflussen immer mehr IT-Bereiche. Nun ist auch der Enterprise Storage an der Reihe. So verspricht etwa Milan Shetti, General Manager von HPE Storage, den Kunden, die intelligente Speicher des Anbieters nutzen, dass sie sich "keine Sorgen über ihre Infrastruktur machen" müssen. KI soll den Aufwand für die Verwaltung der Storage-Infrastruktur "so gering wie möglich halten". Entstehende Probleme würden damit besser vorhergesagt und verhindert. Nach Angaben von Shetti lassen sich die Betriebskosten damit um bis zu 79 Prozent senken.

HPE setzt auf Memory-Driven Flash, um die Speicherleistung im Rechenzentrum zu verbessern.
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HPE hat mit Memory-Driven Flash außerdem eine neue Speicherklasse vorgestellt, die die Leistung von 3PAR und Nimble Storage um bis zu 50 Prozent beschleunigen soll. Die technische Grundlage der neuen Angebote sind Storage Class Memory (SCM) sowie NVMe (Nonvolatile Memory Express). Laut HPE reduzieren sich mit Memory-Driven Flash die Latenzzeiten um die Hälfte. Die eingebaute Intelligenz soll unter anderem eine Echtzeitverarbeitung von Latenz-empfindlichen Applikationen bieten sowie gemischte Workloads optimieren.

Die Neuerungen werden es den Kunden laut HPE-Manager Shetti ermöglichen, "sich darauf zu konzentrieren, mehr aus ihren Daten herauszuholen". Bereits ab dem kommenden Monat soll Memory-Driven Flash für 3PAR verfügbar sein. Ab 2019 dann auch für Nimble Storage.