Kaum hatte Taiwan Semiconductor (TSMC) die 40-nm-Technologie im Griff, kündigte der größte Chipauftragsfertiger im Juni 2009 schon integrierte Schaltkreise mit einer Strukturdichte von 28 nm an. Neuer Partner ist der japanische Hersteller Fujitsu Microelectronics, mit dem TSMC auch schon bei der 40-Nanometer-Produktion zusammengearbeitet hat.
28 nm kommt dem von Gordon Moore sowie dem nach ihm benannten und 1975 revidierten Mooreschen Gesetz sehr nahe, nach dem bei einer zweijährlichen Verdoppelung der Komplexität integrierter Schaltkreise (ICs) 2011 mit der 22-nm-Technologie zu rechnen ist. Das wären Transistoren mit einer Gate-Länge von 10 nm. 50 nm entspricht laut Wikipedia.de etwa der Größe eines Influenzavirus'.
Eine höhere Strukturdichte verspricht nicht nur kleinere Bauweisen, sondern auch kürzere Wege, somit mehr Leistung und einen geringeren Stromverbrauch. Ab bestimmten Strukturdichten ist allerdings irgendwann Schluss, zumal sich bei Transistoren von der Größe eines Atoms die Wahrscheinlichkeit von Bitfehlern durch Elektronen-Kollision extrem vergrößert.
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Die Industriebeobachter von iSuppli haben im Sommer 2009 eine Studie vorgelegt, der zufolge sich zudem die Kosten für die Hersteller irgendwann nicht mehr rechnen würden. Bei 18 nm sei im Jahr 2014 erstmal Schluss, so iSuppli, mit Silizium-Technik wohlgemerkt. Als zukunftsträchtige Alternative werden unter anderem Kohlenstoff-Nanoröhrchen gehandelt. IBM und HP haben schon Anfang des neuen Millenniums unabhängig voneinander entsprechende Entwicklungen vorgestellt. (kh)