Toshiba hat einen Prototypen eines Speicherchips mit FeRAM-Technologie (Ferro electric RAM) vorgestellt. Wie das Unternehmen, bekannt gab, handelt es sich dabei um den weltweit schnellsten Chip seiner Art mit einer bislang unerreichten Speicherdichte. Der Konzern will die Technologie auf der International Solid State Circuits Conference ISSCC, näher erläutern.
Bei der Entwicklung der FeRAM-Chips haben die Techniker die sogenannte ChainFeRAM-Architektur modifiziert. Eine der größten Herausforderungen in der Konstruktion von FeRAM-Bausteinen sowie anderer nichtflüchtiger Speichertechnologien ist, dass sie kaum skalierbar sind. Mit dem nun präsentierten Prototypen soll dieses Problem jedoch behoben worden sein. Es werden die Vorteile der schnellen Arbeitsweise von DRAM mit jenen von nichtflüchtigen Speichern wie Flash Memory kombiniert. Die Chips werden in 130-Nanometer-Technik gefertigt. Sie weisen einen Lese- und Schreibgeschwindigkeit von 1,6 Gigabit pro Sekunde und eine Speicherdichte von 128 Megabit auf. Mit dieser Entwicklung hat Toshiba zudem den bisher bei der FeRAM-Technologie gehaltenen Rekord von 32 Megabit Dichte sowie 200 Megabit pro Sekunde Lese- und Schreibgeschwindigkeit deutlich übertroffen.
Wie auf der ISSCC angekündigt wurde, wolle Toshiba die Kommerzialisierung der Chips rasch vorantreiben. Konkrete Pläne, wann die ersten Produkte auf dem Markt erhältlich sein werden, konnte das Unternehmen jedoch nicht nennen. Der Preis ist jedenfalls ein großes Problem für die Techniker. Brancheninsider zeigen sich jedoch begeistert von der technologischen Entwicklung. Waren FeRAM-Bausteine aufgrund ihrer technologischen Nachteile bisher auf Nischenanwendungen beschränkt, so können sie sich möglicherweise jetzt zu Universalspeichern entwickeln. Laut Entwickler sollen FeRAM-Chips als Hauptspeicher in Handys oder mobilen PCs eingesetzt werden, heißt es vonseiten des Unternehmens. Darüber hinaus soll die Technologie für das Caching sowie als Speicherelement in SSDs zur Anwendung kommen. (pte/rw)