iSuppli

DRAMs ziehen Komponentenpreise hoch

05.08.2009
Die aktuelle DRAM-Verknappung und folgliche Verteuerung wird die Durchschnittspreise für elektronische Komponenten im dritten Quartal 2009 um 2,3 Prozent nach oben ziehen, sagt iSuppli.

Die aktuelle DRAM-Verknappung und folgliche Verteuerung wird die Durchschnittspreise für marktgängige elektronische Komponenten (Commodity Electronic Components) im dritten Quartal 2009 um 2,3 Prozent nach oben ziehen, sagt iSuppli. In den neun Monaten davor haben sich die Durchschnittspreise von Quartal zu Quartal um fünf bis 9,2 Prozent nach unten bewegt.

DRAMs machten 2008 rund 9,1 Prozent der weltweiten Halbleiterumsätze aus, rechnen die Analysten vor. Knapp sind laut iSuppli-Vize Eric Pratt vor allem DDR3-Speicherchips und -module.

Die Industriebeobachter gehen davon aus, dass die durchschnittlichen DRAM-Preise im dritten Quartal um 10,2 Prozent anziehen werden. Preissteigerungen zu erwarten seien außerdem bei analogen ICs (integrierte Schaltkreise), diskreten Bauelementen und Filtern.

Die Preise für die meisten anderen elektronischen Bauelemente sollen im dritten Quartal 2009 weiter sinken. Gestützt durch die DRAM-Verteuerung werden die Durchschnittspreise im vierten Quartal des Jahres nur um moderate 0,2 Prozent sinken, so die Prognose von iSuppli.

Wegen eines Stromausfalls bei Toshiba haben auch die Preise für NAND-Flash-Speicher angezogen. Fürs dritte Quartal rechnet iSuppli aber damit, dass die NAND-Flash-Preise um 0,3 Prozent sinken werden.

Die NOR-Flash-Preise sollen um 1,1 Prozent nach unten gehen, die Preise für EEPROMs (Electrically Erasable Programmable Read-only Memory) dagegen flach bleiben. Unterschiede zwischen NAND- und NOR-Flash werden am Ende des Artikels erklärt.

Ursprünglich war iSuppli für die zweite Jahreshälfte 2009 von stärker sinkenden Preisen für elektronische Komponenten ausgegangen. Dass sie es nicht tun, liegt unter anderem auch daran, dass die Hersteller zum Teil ihre Kapazitäten heruntergefahren haben.

NAND (Not And, nicht und) und NOR (Not Or, nicht oder) bezeichnen zwei unterschiedliche Gatter. Bei NAND sind die Speicherzellen hintereinander geschaltet, bei NOR parallel. NOR-Speicher bieten zwar den wesentlich schnelleren Datenzugriff, sind aber wegen der höheren Pin-Anzahl in der Regel größer und erlauben nur eine Speicherkapazität von 1 Gigabit.

NAND-Flash-Speicher erreichen heute auf SLC-Basis (Single Level Cell) 16 Gbit, auf MLC-Basis (Multi Level Cell) sogar 32 Gbit.

NOR-Flash eignet sich als Programmspeicher von Mikrocontrollern, da der Zugriff wahlfrei und direkt erfolgen kann. Bei NAND-Flash-Speichern besteht keine Wahlfreiheit, Lesen und Schreiben müssen sequentiell erfolgen. Daher eignet sich die NAND-Flash-Variante nicht als Programmspeicher für Mikrocontroller. Der Softwareaufwand für die Ansteuerung ist auch höher als bei NOR. (kh)